IT之家 4 月 9 日音訊，音訊意端據韓媒 ETNews 報導，稱星存堆產滿側三星電子和 SK 海力士都在推動移動 DRAM 堆疊封裝技能的海力使用，該技能可進步移動設備的士推內存帶寬。

端側 AI 是動移動內疊封現在智能手機 、筆記本等產品商場的裝技熱門話題，而完成端側運轉模型需求更強壯的音訊意端移動 DRAM 功能。堆疊芯片作為一種在 HBM 內存上卓有成效的稱星存堆產滿側戰略被歸入考慮。

但是海力，以 LPDDR 為代表的士推移動 DRAM 芯片較小 ，不適合與 HBM 相同的動移動內疊封 TSV（IT之家注 ：硅通孔）銜接方案；一起 HBM 制作工藝的高成本低良率特性也不能滿意高產能移動 DRAM 的需求。

因而三星電子 、裝技SK 海力士選用了另一種先進封裝方法來完成移動 DRAM 芯片堆疊，音訊意端也便是稱星存堆產滿側筆直布線扇出技能 VFO，該技能可提供更多的海力 IO 數據引腳 。

SK 海力士方面表明 VFO 技能將 FOWLP 和 DRAM 堆疊兩項技能結合 ，經過筆直銜接大幅縮短了電信號在多層 DRAM 間的傳輸途徑，一起能效也有提高。

SK 海力士給出的數據顯現 ，其去年中的 VFO 技能驗證樣品在導線長度上僅有傳統布線產品的不到 1/4，能效也提高了 4.9% 。盡管該方案帶來了額定 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27% 。

依據 ETNews 的說法 ，三星方面選用相似技能的產品是 LLW DRAM。LLW DRAM 可完成低推遲和 128GB/s的高帶寬功能 ，一起能耗也僅有 1.2 pJ / b 。

選用 VFO 技能的產品有望成為繼 HBM 后的下一個 AI 內存熱門。報導稱三星方案于下一年下半年完成 LLW DRAM 的量產；而 SK 海力士相關產品現在已在量產預備階段 。

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