IT之家 4 月 12 日音訊，音訊月晚據韓媒 Hankyung 報導，稱星三星最快于本月晚些時候完成第 9 代 V-NAND 閃存的電最第代量產 。

三星高管 Jung-Bae Lee 上一年 10 月表明，快本其下一代 NAND 閃存將于“今年初”量產
，時候具有業界搶先的量產堆疊層數。

三星于 2022 年 11 月量產了 236 層第 8 代 V-NAND，音訊月晚這意味著兩代之間的稱星距離為一年半左右
。

Hankyung 稱第 9 代 V-NAND 閃存的快本堆疊層數將是 290 層，不過IT之家早前報導中說到
，時候三星在學術會議上展現了 280 層堆疊的量產 QLC 閃存 ，該閃存 IO 接口速率到達 3.2GB/s。音訊月晚

三星在第 9 代 V-NAND 大將沿襲雙閃存倉庫的稱星結構，以完成更簡略的電最第代工序和更低的制作本錢。而在估計下一年推出的第 10 代 V-NAND 閃存上 ，三星將換用三倉庫結構。

新的結構將進一步提高 3D 閃存的最大或許堆疊層數 ，不過也會在倉庫對齊方面引進更多的復雜性，SK 海力士下一年量產的 321 層 NAND 閃存就將運用這一結構 。

半導體職業調查組織 TechInsights 表明三星的第 10 代 V-NAND 閃存有望到達 430 層
，進一步提高堆疊方面的優勢。

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